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还在寻找一颗能扛起高压开关重任的“硬核”器件吗？STP7NK40ZFP正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有400V的漏源电压和5.4A的连续电流能力，基于ST先进的SuperMESH技术打造，其导通电阻低至1欧姆（@10V, 2.7A）。这意味着它能帮助您大幅降低导通损耗，提升电源转换效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它专为高效开关而优化，栅极电荷（Qg）低，开关速度快，让您轻松驾驭高频开关应用。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，可在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。无论是构建可靠的工业电源，还是设计高效的电机驱动电路，STP7NK40ZFP都能成为您设计中值得信赖的功率开关核心，助您简化设计，提升产品整体性能与可靠性。

• 型号:STP7NK40ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP7NK40ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。