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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持高效冷静的功率器件吗？STP7NK30Z正是为此而生！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有300V的漏源电压和5A的连续电流处理能力，让您在开关电源、电机控制等高压应用中从容应对。

它的核心魅力在于极低的导通损耗与出色的开关性能。900毫欧的超低导通电阻（@10V, 2.5A）意味着更少的能量以热量形式浪费，而13nC的低栅极电荷则让开关动作迅捷无比，显著提升系统整体效率。TO-220AB封装提供了强大的散热能力，确保芯片在高达50W的功率耗散下和-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，让您的设计不仅高效，而且无比可靠。

• 型号:STP7NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NK30Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。