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还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找解决方案吗？STP7N80K5正是您期待的答案。这颗采用SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和6A的强劲电流处理能力，专为 demanding 应用而设计。

它能让您的电源设计脱胎换骨。极低的导通电阻（1.2Ω @ 3A, 10V）和栅极电荷（13.4nC @ 10V），意味着更少的能量损耗和更高效的开关性能，直接帮助您提升系统能效，降低温升。无论是开关电源、电机控制还是照明系统，它都能让您的产品运行更稳定、更可靠、更具市场竞争力。

• 型号:STP7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。