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还在为如何平衡电源设计的效率与成本而烦恼吗？STP7N65M2正是为您排忧解难的得力助手。这颗650V/5A的N沟道MOSFET，凭借其MDmesh技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源转换过程更加高效、发热更少，直接提升终端产品的能效等级和可靠性。

它能让您轻松应对开关电源、照明驱动等应用中的高压开关任务。优异的动态性能和低栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您简化驱动电路设计，提升系统整体响应。选择它，就是为您的产品注入一颗经久耐用、性能卓越的“强心脏”。

• 型号:STP7N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。