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您正在为高压开关应用寻找一颗既强健又高效的“心脏”吗？STP7N52DK3正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有525V的高耐压和6A的电流处理能力，能轻松驾驭开关电源、PFC电路等高压环境，让您的系统运行更加稳定可靠。

它基于ST先进的SuperFREDmesh3技术，显著优化了开关性能。1.15欧姆的低导通电阻帮助您大幅降低导通损耗，而优异的栅极电荷特性则提升了开关速度、减少了开关损耗。这意味着您的设备能效更高，发热更少，整体性能更加出众。其坚固的TO-220AB封装和宽泛的工作温度范围，进一步确保了它在各种挑战性环境下的持久耐用。

• 型号:STP7N52DK3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7N52DK3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。