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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温运行的“能量开关”吗？STP7N105K5正是为此而生！这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有1050V的惊人耐压和4A的电流处理能力，让您在设计工业电源、电机控制或照明系统时，面对高压环境更有底气。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量损耗和发热，而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关动作。这直接转化为更高的系统效率、更紧凑的散热设计以及更可靠的产品寿命。选择它，就是为您的设备选择了一颗强劲、冷静且值得信赖的功率核心。

• 型号:STP7N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。