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想象一下，在您的电源或电机驱动板卡中，一颗开关器件能以近乎“零阻力”的方式让强大电流顺畅通过，同时自身却保持惊人的低温。STP78N75F4正是为此而生。它采用先进的STripFET技术，在10V驱动下导通电阻低至11毫欧，轻松驾驭高达78A的连续电流，将导通损耗大幅削减，直接为您提升系统整体效率，并显著缓解散热压力。

这颗N沟道MOSFET拥有75V的耐压和150W的强大功率处理能力，让您在设计工业级电源、电机控制器或大功率转换器时信心十足。其快速的开关特性和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在各种动态负载和恶劣环境下都能稳定、高效地运行。选择STP78N75F4，就是为您的核心功率电路选择了一位可靠、高效的“执行者”，让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:STP78N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP78N75F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。