我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP6NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用中的效率与损耗问题烦恼吗？让STP6NM60N来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的MDmesh II技术，拥有600V的高耐压和4.6A的连续电流能力，能轻松胜任各种中功率开关任务。

它的核心价值在于为您带来高效与可靠的完美平衡。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关响应，从而让您的电源或电机驱动系统整体能效更高、发热更少、运行更稳定。无论是构建新的高效电源，还是升级现有设备，它都能让您的设计事半功倍。

• 型号:STP6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。