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您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持冷静与高效的“核心开关”？STP6NK60ZFP正是为此而生。这颗采用ST先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和6A的连续电流处理能力，让您在设计电源、电机驱动等高压电路时信心十足，轻松应对各种挑战。

它的卓越之处在于内在的优化。仅1.2欧姆的低导通电阻（Rds(on)）能大幅降低导通损耗，而精心设计的栅极特性让开关速度更快、损耗更小。这意味着您的系统不仅能高效运行，减少发热，还能实现更紧凑的散热设计。无论是提升现有方案的效率，还是开发新一代节能产品，它都能让您的设计工作事半功倍，轻松达成性能目标。

• 型号:STP6NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:905 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP6NK60ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。