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还在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务的“心脏”吗？STP6NK50Z正是您期待的答案。这颗N沟道功率MOSFET拥有高达500V的漏源电压和5.6A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，能够自信应对高压环境，实现高效、稳定的能量切换。

得益于意法半导体先进的SuperMESH技术，它在10V驱动电压下即可实现优异的导通性能（Rds(on)低至1.2Ω），这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。其快速的开关特性和稳健的栅极电荷管理，能显著提升您的系统效率与响应速度。无论是提升能效还是简化散热设计，它都能让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STP6NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。