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您是否在寻找一颗能同时征服高压与高效挑战的功率开关？STP6N80K5正是为您而来的解决方案。它基于先进的SuperMESH5技术打造，拥有800V的坚固耐压和仅1.6欧姆的低导通电阻，让您轻松驾驭开关电源、LED驱动等应用中的高压切换，同时大幅降低导通损耗，提升整体能效。

这颗芯片的卓越之处在于其动态性能。极低的栅极电荷和输入电容，意味着它开关速度更快、驱动更轻松，能有效减少开关损耗并简化您的驱动电路设计。无论是追求紧凑尺寸，还是苛刻的温升要求，STP6N80K5都能让您的设计游刃有余，助力打造出更节能、更可靠的终端产品。

• 型号:STP6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。