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还在为高压开关应用中的效率与散热问题烦恼吗？让STP6N65M2为您提供高效能的解决方案。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和4A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅1.35欧姆）和栅极电荷（9.8nC）。这意味着它能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更高效、发热更少。

它能让您轻松应对开关电源、PFC电路和照明驱动等应用中的高压开关任务。其坚固的TO-220封装和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的可靠性与性能保障，助您高效实现设计目标。

• 型号:STP6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。