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还在为开关器件的效率瓶颈而困扰吗？STP60NF06L正是为您破解这一难题的利器。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，核心使命就是让您的电源管理和电机驱动应用运行得更高效、更可靠。它凭借高达60A的连续电流承载能力和低至14毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。

其优化的动态特性，如较低的栅极电荷，让开关动作更快、更干净，从而提升整体系统频率响应并减少开关损耗。无论是面对工业环境的严酷温度波动，还是需要长时间稳定运行，它宽广的工作温度范围和稳健的TO-220AB封装都能让您高枕无忧。选择STP60NF06L，就是选择为您的设计注入一股强劲而高效的动力源泉。

• 型号:STP60NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP60NF06L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。