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您正在设计需要强大动力和高效控制的设备吗？STP60N55F3正是为您而生的功率管理利器。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达80A的连续电流和55V的电压，其超低的8.5毫欧导通电阻，能显著减少能量损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它基于STripFET III技术打造，拥有极快的开关速度和优化的栅极电荷，确保响应迅速，控制精准。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您轻松实现稳定可靠的性能输出，是提升产品竞争力的理想选择。

• 型号:STP60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP60N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。