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还在为高压电路中的开关损耗和热管理头疼吗？让STP5NK90Z来为您化解难题！这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和4.5A的连续电流能力，专为要求严苛的高压开关应用而优化。

它的核心价值在于，通过先进的工艺技术，实现了导通电阻与开关特性的优异平衡。仅需10V驱动电压，您就能轻松驾驭它，而其低至41.5nC的栅极电荷和优化的内部电容，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是构建紧凑的开关电源，还是驱动高性能电机，它都能提供稳定可靠的功率切换。

采用坚固的TO-220AB通孔封装，散热性能优异，配合125W的强大功率处理能力，确保您在-55°C至150°C的宽广温度范围内都能安心设计。STP5NK90Z就是您提升产品能效与可靠性的得力助手。

• 型号:STP5NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。