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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温运行的功率开关管吗？STP5NK80Z正是您的理想之选。这颗来自意法半导体PowerMESH系列的N沟道MOSFET，拥有高达800V的耐压和4.3A的连续电流能力，专为要求严苛的电源和电机控制应用而优化。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（仅2.4欧姆）意味着更少的导通损耗，直接为您节省能源并降低发热。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程更快、损耗更低，使您能够轻松提升系统的工作频率和功率密度。其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种环境下都能稳定持久地工作。

总而言之，STP5NK80Z集高性能、高能效与高可靠性于一身，是您打造下一代高效电源、工业驱动或照明系统时，可以放心依赖的功率开关解决方案。

• 型号:STP5NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。