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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STP5NK65ZFP为您带来焕然一新的解决方案。这颗采用ST先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有650V高耐压和4.5A电流能力，其极低的1.8欧姆导通电阻能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。优化的栅极特性（Qg仅35nC）让驱动变得轻而易举，有助于提升开关频率和整体响应速度。无论是工业电源、照明设备还是家用电器中的功率转换部分，STP5NK65ZFP都能以出色的可靠性和稳健的性能，确保您产品的核心动力部分坚如磐石，轻松应对各种挑战。

• 型号:STP5NK65ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP5NK65ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。