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还在为高压开关应用寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？STP5NB60正是您理想的答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的强劲耐压和5A的连续电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时，轻松应对高压挑战，实现高效的能量控制。

它采用先进的PowerMESH技术，导通电阻低至2欧姆，能显著降低开关损耗，提升整体系统效率。同时，其坚固的TO-220AB封装和高达100W的功率耗散能力，确保了出色的散热性能和长期工作稳定性。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:STP5NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:884 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NB60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。