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您正在寻找一颗能兼顾高性能、高可靠性与出色性价比的功率开关管吗？STP4NK60Z正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V/4A的强劲规格，专为要求苛刻的开关电源、照明和电机控制应用而设计。

它采用先进的SuperMESH技术，为您带来极低的导通电阻和栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源系统运行更高效、更凉爽。其坚固的TO-220AB封装和宽泛的工作温度范围，确保了长期运行的稳定性，让您轻松应对各种复杂应用环境，全面提升产品竞争力。

• 型号:STP4NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。