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您正在寻找一颗能轻松驾驭800V高压、同时保持高效开关性能的功率MOSFET吗？STP4NB80正是为您而来！这颗N沟道MOSFET采用意法半导体先进的PowerMESH技术，拥有4A的连续电流处理能力，其低至3.3欧姆的导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它专为应对高压环境下的严苛挑战设计，高达100W的功率耗散能力和150°C的最大工作结温，确保了在恶劣条件下的长期稳定运行。无论是用于开关电源、PFC电路还是照明应用，STP4NB80都能让您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，实现出色的性能目标。

• 型号:STP4NB80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NB80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。