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您正在寻找一颗能轻松驾驭1000V高压、同时保持高效开关性能的功率开关吗？STP4NB100正是为您而来。这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，拥有仅4.4欧姆的低导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源或电机驱动设计效率更高、发热更少。

它采用坚固的TO-220AB通孔封装，最大耗散功率高达125W，结温可达150°C，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性和散热能力。无论是用于提升现有产品的性能，还是为经典设计提供维护支持，STP4NB100都能让您以更少的损耗，实现更稳定、更强劲的功率控制。

• 型号:STP4NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NB100，ST（意法半导体）产品一站式供应商。