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还在为高压电源设计的效率与散热问题寻找答案吗？STP4N80K5正是您期待的解决方案。这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和3A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它专为提升开关电源（SMPS）、PFC电路、照明及工业驱动等应用的性能而优化。优异的开关特性让您轻松实现更高的工作频率，从而有可能使用更小的磁性元件，助力产品小型化。TO-220封装提供了强大的功率耗散能力，结合宽广的工作温度范围，确保它在各种挑战性环境中稳定工作，大幅提升最终产品的可靠性和市场竞争力。

• 型号:STP4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。