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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STP4N52K3来为您提供高效的解决方案！这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，专为要求苛刻的功率转换场景而生。它拥有525V的高耐压和2.5A的连续电流能力，能轻松应对反激式电源、功率因数校正（PFC）等拓扑结构中的主开关角色。

其核心价值在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（Rds(on)）确保在导通时损耗最小化，而优化的栅极电荷（Qg）则让开关速度更快、损耗更低。这意味着您能轻松构建出效率更高、发热更少的电源系统。同时，其坚固的TO-220封装和宽工作温度范围，让您的设计在面对各种环境挑战时都充满信心，是实现高效、紧凑、可靠功率管理的理想选择。

• 型号:STP4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。