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还在为高压电源设计的效率瓶颈寻找突破口吗？STP3LN80K5正是为您而来的高效能解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和仅3.25欧姆的低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它集低栅极电荷与快速开关特性于一身，让您能够轻松推动更高频率的设计，从而缩减变压器和滤波器的体积，实现更紧凑、更具成本优势的终端产品。无论是开发工业级开关电源、电机驱动器，还是高性能LED照明方案，STP3LN80K5都能以卓越的稳定性和能效表现，助您一臂之力。

• 型号:STP3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。