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还在寻找一颗能同时兼顾强大驱动能力和高效节能的功率开关吗？STP36NF06L正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达30A的连续电流处理能力，让您能够轻松驾驭电机驱动、电源转换等应用中的大电流挑战。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅40毫欧）和优化的栅极特性。这意味着在导通时，能量损耗被大幅降低，系统运行更凉爽、效率更高；而在开关时，快速的响应能让您的设备动作更迅捷。无论是提升现有产品的能效，还是为创新设计寻找可靠基石，STP36NF06L都能让您的想法高效落地，性能表现远超预期。

• 型号:STP36NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP36NF06L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。