我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP36N55M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要处理数百伏电压和数十安培电流的电源或电机控制方案吗？STP36N55M5正是为您而来的高性能N沟道MOSFET。它拥有550V的漏源电压和33A的连续漏极电流能力，核心优势在于其极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统效率更高，发热更少。

得益于ST独有的MDmesh V技术，这颗芯片实现了优异的开关速度与栅极电荷平衡。这意味着它不仅能帮助您轻松应对高功率密度设计挑战，还能确保系统运行更加稳定可靠。无论是用于提升现有产品的能效，还是作为关键功率开关构建高可靠性平台，STP36N55M5都能以强大的性能，助您一臂之力。

• 型号:STP36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 33A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP36N55M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。