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STP35NF10 零件图片(仅供参考)

STP35NF10
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STP35NF10 规格参数

您正在寻找一颗能扛起高电流开关重任的“硬核”MOSFET吗?STP35NF10正是为此而生!这颗来自ST意法半导体的N沟道功率器件,拥有100V的耐压和高达40A的连续电流处理能力,让您在设计电机驱动、电源转换或功率开关电路时信心十足。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。其最大导通电阻仅35毫欧,意味着电流通过时产生的热量更少,电能转换效率更高。配合10V的标准驱动电压和快速的开关特性,它能帮助您的系统实现更高效、更凉爽的运行。无论是应对工业环境的严酷考验,还是追求消费电子产品的能效极致,STP35NF10都能成为您提升产品竞争力的得力助手。

  • 型号:STP35NF10
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 17.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):55 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1550 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):115W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • STP35NF10,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STP35NF10 基本参数:

  • 电子零件型号:STP35NF10
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STP35NF10的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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