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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静高效的“能量开关”吗？STP34N65M5正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和28A的强大电流通过能力，其核心的MDmesh V技术，让它在导通时阻抗极低（仅110毫欧），能显著减少能量损耗和发热，直接提升您的整机效率。

更令人惊喜的是，它具备优异的开关特性。极低的栅极电荷让驱动变得轻松，开关速度更快，损耗更小，使您能够设计出频率更高、体积更小的电源方案。无论是应对工业环境的严酷考验，还是满足消费电子对能效的苛刻要求，STP34N65M5都能让您的产品性能脱颖而出，运行更加稳定可靠。

• 型号:STP34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP34N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。