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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、大电流和出色效率的功率开关吗？STP33N60DM6正是您的理想之选。它基于ST先进的MDmesh M6技术，拥有600V耐压和25A电流能力，其核心价值在于极低的128毫欧导通电阻和优化的动态特性，能大幅降低功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效。

这颗芯片能让您的设计工作变得前所未有的轻松。更低的损耗意味着发热更少，您可以简化散热设计，节省空间与成本；优异的开关特性有助于提升系统频率，让您的产品体积更小巧、性能更强劲。无论是面对严苛的工业环境还是追求极致的能效标准，STP33N60DM6都能提供可靠、高效的动力核心，助您快速将创新构想转化为市场领先的产品。

• 型号:STP33N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:128毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP33N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。