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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持冷静与高效的功率开关吗？STP33N60DM2正是您的得力助手。它基于先进的MDmesh DM2技术，在600V的电压等级下，能以低至130毫欧的导通电阻轻松驾驭高达24A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更节能。

这颗芯片能为您做什么？它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）确保了快速响应，减少开关损耗，帮助您提升系统效率并简化EMI设计。其坚固的TO-220封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，赋予了它应对严酷工业环境的超凡可靠性。选择STP33N60DM2，就是选择了一份让设计更高效、让产品更耐用的信心保障。

• 型号:STP33N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP33N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。