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还在为高压大电流应用中的效率瓶颈和散热难题寻找答案吗？让STP32N65M5为您开启高效电能转换的新篇章。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和24A的强大电流处理能力，其核心价值在于能将导通电阻降至惊人的119毫欧，显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松应对服务器电源、工业驱动等高要求场景，其优化的栅极电荷和电容特性还有助于提升开关速度，降低开关损耗。TO-220AB封装提供了可靠的安装和散热路径，结合150W的强劲功率处理能力，确保系统在高温环境下依然稳定。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体经典的可靠基因，让设计更省心，性能更出众。

• 型号:STP32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP32N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。