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还在寻找一颗能扛起高压大电流重任的“硬核”开关吗？STP30NM60N正是为您而来！这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和25A的强大电流吞吐能力，让您在设计工业电源、电机驱动或高效照明系统时，轻松应对高压侧开关的挑战。

它的核心魅力在于极低的导通损耗（Rds(on)典型值仅130毫欧）和优化的动态特性，能显著提升系统的整体能效，减少发热，让您的产品运行更凉爽、更持久。经典的TO-220AB封装便于安装和散热，高达190W的耗散功率为您提供了充足的设计余量。选择它，就是为您的功率电路选择了一位可靠且高效的“执行者”。

• 型号:STP30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。