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还在为功率转换电路的效率和发热问题烦恼吗？让STP30NM50N来为您分忧！这颗基于先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和高达27A的电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机控制等应用中的核心开关任务。

它的核心价值在于极低的导通损耗，最大仅115毫欧的导通电阻，意味着电流通过时产生的热量更少，让您的系统运行更凉爽、效率更高。同时，优化的动态参数有助于实现更干净、更快速的开关，简化您的驱动设计，全面提升电源的功率密度和可靠性。

• 型号:STP30NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。