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还在为功率转换电路的效率瓶颈而烦恼吗？STP27N3LH5正是为您破解这一难题的利器。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达27A的电流承载能力，其核心价值在于采用STripFET V技术实现的超低导通电阻（仅20毫欧），能显著降低开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松驾驭DC-DC转换、电机控制、负载开关等应用。优异的栅极特性使驱动设计更为简单，有助于您精简电路、节省空间。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的“动力心脏”，全面提升系统能效与稳定性。

• 型号:STP27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP27N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。