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您正在寻找一颗能扛起高电流重任、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP270N4F3正是您理想的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和惊人的120A连续电流处理能力，其核心魅力在于低至2.9毫欧的导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它基于先进的STripFET III技术打造，不仅开关性能优异，更能承受高达330W的功率耗散。无论是构建紧凑高效的DC-DC转换器，还是驱动要求苛刻的工业电机，STP270N4F3都能让您轻松实现高可靠性与高功率密度的设计目标，显著提升终端产品的整体性能和市场竞争力。

• 型号:STP270N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP270N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。