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您正在寻找一颗能扛起600V高压、20A大电流重任，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？STP26NM60N正是您的理想之选！这颗基于ST先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，以其仅165毫欧的超低导通电阻，显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它不仅能轻松应对严苛的工业环境，其优化的栅极电荷和开关特性，更能让您的驱动电路设计变得简单高效。无论是用于提升功率密度，还是为了追求极致的能源转换效率，STP26NM60N都能以卓越的稳定性和强大的性能，成为您产品设计中可靠的核心动力部件。

• 型号:STP26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。