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您是否正在寻找一颗能同时驾驭600V高压与18A大电流，却依然保持冷静高效的功率开关？STP26N60DM6正是您的理想答案。这颗基于意法半导体先进MDmesh DM6技术的N沟道MOSFET，凭借其低至195毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率大幅提升，运行温度更低。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。高达130W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了卓越的可靠性与耐久性。同时，优化的开关特性（如24nC的低栅极电荷）有助于减少开关损耗，简化驱动设计，让您能够构建出更紧凑、更高效、更具成本竞争力的终端产品，从容面对市场挑战。

• 型号:STP26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:195 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP26N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。