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当您的设计需要一颗能扛起600V高压、驾驭21A电流的可靠开关时，STP25NM60N就是为您而来的强大心脏。它采用ST先进的MDmesh II技术，核心使命就是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更冷静。

这颗N沟道MOSFET拥有低至160毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，直接提升您的整机效率。同时，其优化的栅极电荷和电容特性，让开关过程快速而干净，有助于简化驱动电路设计并降低电磁干扰（EMI）。高达160W的耗散功率和150°C的结温，则为系统在满载或恶劣环境下的稳定运行提供了坚实保障。

• 型号:STP25NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP25NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。