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还在为寻找一颗能扛起高电压、大电流重任的功率开关而烦恼吗？STP25N80K5正是您期待的解决方案！这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和19.5A的持续电流能力，专为应对严苛的功率转换挑战而设计。

它能让您的电源系统运行得更加高效、凉爽。其极低的导通电阻（仅260毫欧）和优化的动态特性，能显著减少开关损耗和导通损耗，直接提升整体能效，并简化散热设计。无论是用于开关电源、电机控制还是照明镇流器，它都能让您的产品性能脱颖而出，可靠性倍增。

选择STP25N80K5，就是选择了一个值得信赖的功率核心。它让您轻松实现更紧凑、更高效、更可靠的设计，助您快速将创新理念转化为市场领先的产品。

• 型号:STP25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP25N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。