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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？STP24NM60N正是为您突破极限而生的利器。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V高耐压和仅190毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能够轻松处理高达17A的连续电流，并承受125W的功率耗散，为您提供充沛的动力输出和卓越的可靠性。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高性能电力电子设备，STP24NM60N都能让您以更低的系统复杂度和成本，实现更优的性能表现，是工程师应对严苛设计挑战的自信之选。

• 型号:STP24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。