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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的“核心开关”吗？STP24N65M2正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和16A的强大电流通过能力，基于ST先进的MDmesh M2技术打造，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。极低的栅极电荷和输入电容意味着您可以实现更快的开关频率，从而优化磁性元件尺寸，让整个系统设计更加紧凑。高达150W的功率耗散能力和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了其在持续高负荷下的稳定性和长寿命，是提升产品可靠性的得力助手。

• 型号:STP24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。