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想象一下，您的电源或电机驱动项目需要一颗既能承受600V高压，又能实现高效快速开关的“心脏”。STP24N60DM2正是为此而来。它基于意法半导体先进的FDmesh II Plus技术，为您提供高达18A的电流处理能力和200毫欧的超低导通电阻，核心使命就是大幅降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

这颗N沟道MOSFET拥有极低的栅极电荷（仅29nC），这意味着它能够轻松实现高速开关，显著减少开关过程中的能量损失，特别适用于高频工作的开关电源和逆变器。其优异的动态特性有助于简化您的电路设计，提升整体可靠性。无论是提升现有产品的效率，还是开发更具竞争力的新平台，STP24N60DM2都能让您的设计工作更加得心应手，高效实现性能目标。

• 型号:STP24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。