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还在为高功率应用中的效率损失和发热问题烦恼吗？STP240N10F7 N沟道功率MOSFET正是为您破解难题而生。它集成了ST先进的STripFET VII技术，在100V的电压平台上，能够持续承载高达180A的强大电流，而其超低的3.2毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片旨在让您的设计工作更轻松。它拥有优化的栅极电荷特性，可实现快速开关，有效降低开关损耗，提升系统整体频率响应。同时，其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在严苛环境下的长期稳定性和可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且值得信赖的“动力核心”。

• 型号:STP240N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:176 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP240N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。