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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的“硬核”开关吗？STP23NM60N正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源击穿电压和19A的连续电流能力，专为高效能源转换而设计。其核心的MDmesh II技术，让它在导通时阻抗极低（仅180mΩ），开关时迅速利落，能显著降低您电源或电机驱动系统中的导通损耗与开关损耗。

这意味着，您能轻松构建出更高效、更凉爽、更可靠的电力电子系统。无论是开关电源、PFC电路还是电机控制，它都能让您的产品性能脱颖而出，同时有效控制整体能耗与温升。选择它，就是为您的核心功率链路选择了一位可靠高效的“执行者”。

• 型号:STP23NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP23NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。