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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的“核心开关”吗？STP23NM50N正是为此而来！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和17A的强大电流通过能力，其秘诀在于低至190毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，让电能转换更加顺畅，直接为您提升系统整体效率。

更令人惊喜的是，它极低的栅极电荷让开关动作干净利落，大幅降低开关损耗和驱动需求。无论是用于构建高效的开关电源（SMPS）、驱动电机，还是管理功率因数校正（PFC）电路，它都能让您的设计轻松应对高温挑战，稳定运行于高达150°C的结温环境。选择它，就是为您的产品注入了持久可靠的动力核心。

• 型号:STP23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP23NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。