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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP21NM60ND正是为您而来的解决方案。这颗采用意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和17A的强大电流处理能力，让您在设计高压电源、电机驱动或PFC电路时信心十足。

它的核心魅力在于极致的效率。仅220毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，把更多电能留给您的负载；而优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，有效削减开关损耗。这意味着您的系统不仅能运行得更凉爽、更稳定，还能轻松达成更高的能效标准。高达140W的耗散功率和150°C的结温，更是为长期可靠运行提供了坚实保障。

选择STP21NM60ND，就是为您的产品选择了一份来自业界标杆的性能承诺。它让复杂的高压功率控制变得简单、高效且可靠。

• 型号:STP21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。