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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STP20NM60为您带来焕然一新的解决方案！这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，集600V高压耐受与20A大电流驱动能力于一身，旨在让您的电源设计更高效、更可靠。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。其导通电阻（Rds(on)）在典型工况下低至290毫欧，配合优化的栅极电荷（Qg），能显著降低开关过程中的能量损失和发热。这意味着，无论是用于电机驱动、UPS电源还是光伏逆变器，它都能帮助您轻松提升系统整体能效，同时简化散热设计，让产品运行更冷静、更持久。

选择STP20NM60，就是选择了一颗经过工业级验证的“强力心脏”。它采用坚固的TO-220AB封装，散热性能优异，工作结温高达150°C，确保在严苛环境下依然稳定工作。让它为您的应用注入强劲动力，高效实现能量转换，助您打造出更具市场竞争力的优质产品。

• 型号:STP20NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。