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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和出色热性能的功率开关管吗？STP20N65M5正是为您而来！这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和18A的强大电流处理能力，其核心使命就是让您的电源转换系统运行得更“冷静”、更高效。

它通过极低的导通电阻（Rds(on)）最大限度地减少导通损耗，同时优化的动态参数（如Qg和Ciss）确保了极快的开关速度和低开关损耗。这意味着，无论是用于提升开关电源的能效等级，还是强化电机驱动的响应速度，STP20N65M5都能让您轻松实现设计目标，并显著提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:STP20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。