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还在为电源系统的效率瓶颈寻找突破口吗？STP20N60M2-EP正是您期待的答案。这颗采用先进MDmesh M2-EP技术的N沟道功率MOSFET，集600V高耐压与13A大电流于一身，能显著降低开关损耗和导通电阻，让您的电源转换效率轻松跃升新台阶。

它专为应对高要求应用而设计，无论是驱动电机、构建可靠的UPS，还是打造高效的照明系统，其出色的热性能（110W功耗）和坚固的TO-220封装都能确保稳定运行。选择它，意味着您选择了更简洁的设计、更低的温升和更高的系统可靠性，让您能更专注于产品创新，而无后顾之忧。

• 制造商产品型号：STP20N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STP20N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。