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还在寻找一颗能扛起200V中压领域重任的“能量开关”吗？STP20N20正是您期待的答案。这颗采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有200V耐压和18A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（125毫欧@10A），能显著减少导通损耗，让您的电源转换、电机控制或照明驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它具备快速的开关性能（栅极电荷仅39nC），帮助您轻松实现高频高效运作，提升系统整体功率密度。经典的TO-220AB封装确保了卓越的散热效能和安装便利性。选择STP20N20，就是为您的设计注入一份经久考验的可靠动力，让性能提升轻而易举。

• 型号:STP20N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。